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20奈米製程 硬碟縮成郵票大

更新日期:2011/04/21 13:42

(中央社記者吳佳穎台北21日電)英特爾美光科技合作推出新製程技術,讓智慧手機、平板電腦中的快閃記憶體容量更大、體積更小,今年下半年可望推出小於美國郵票,卻有128GBs儲存容量的樣品。

英特爾 (Intel)與美光科技 (Micron)上週宣布推出為NAND快閃記憶體開發的新20奈米 (nm)製程技術,這項技術用於生產8GB多級單元 (MLC) NAND快閃記憶體元件,可為智慧型手機與平板電腦提供高容量、體積小,但有如固態硬碟(SSD)儲存的解決方案。

這次宣布的20奈米製程是以原來的25奈米製程基礎加以改善。英特爾表示,未來還會在製程技術上持續開發越來越微小的技術。

英特爾也在與美光合資的快閃記憶體公司IM FlashTechnologies(IMFT)官方網站上表示,20奈米 (nm)製程8GB快閃記憶元件目前正在取樣,2011年下半年有望進入大規模生產;屆時,英特爾與美光公司希望能推出16GB元件樣品,可以提供小於美國郵票,卻有128GBs容量的固態儲存解決方案。1000421

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